GaSb單晶基片
GaSb單晶由于其晶格常數(shù)與帶系在 0.8~4.3um寬光譜范圍內(nèi)的各種三元和四元，III-V族化合物固熔體的晶格常數(shù)匹配，因為GaSb可以作為襯底材料用作制備適合某些紅外光纖傳輸?shù)募す馄骱吞綔y器，GaSb也被預(yù)見具有晶格限制遷移率大于GaAs，使得它在制作微波器件方面具有潛在的應(yīng)用前景。GaS單晶材料的主要生長方法，包括傳統(tǒng)液封直拉技術(shù)（LEC）、改進的LEC技術(shù)、移動加熱法/垂直梯度凝固技術(shù)（VGF）/垂直布里奇曼技術(shù)（VBG）等。
晶體
結(jié)構(gòu)
晶向
熔點
oC
密度
g/cm3
禁帶寬度
GaSb
立方
a=6.094A
<100>
712
5.53
0.67
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主要性能參數(shù) | |||||||
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單晶 |
摻雜 |
導(dǎo)電類型 |
載流子濃度
cm-3 |
遷移率(cm2/V.s) |
位錯密度(cm-2) |
標(biāo)準(zhǔn)基片 | |
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GaSb |
本征 |
P |
(1-2)*1017 |
600-700 |
《1*104 |
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm | |
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GaSb |
Zn |
P |
(5-100)*1017 |
200-500 |
《1*104
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Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm | |
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GaSb |
Te |
N |
(1-20)´1017 |
2000－3500 |
《1*104 |
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm | |
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尺寸（mm） |
Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底 | ||||||
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表面粗糙度 |
Surface roughness(Ra):<=5A 可提供原子粒顯微鏡（AFM）檢測報告 | ||||||
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拋光 |
單面或雙面 | ||||||
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包裝 |
100級潔凈袋，1000級超凈室 | ||||||