氮化鋁陶瓷基片(AlN)
AlN陶瓷基片是新一代高性能陶瓷基片，具有很高的熱導(dǎo)率（理論值為319W/m.K，商品化的AlN基片熱導(dǎo)率大于140W/m.k）、較低的介電常數(shù)（8.8）和介電損耗（～4×104）、以及和硅相配比的熱膨脹系數(shù)（4.4×10－4/℃）等優(yōu)點(diǎn)，化學(xué)組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。
氮化鋁陶瓷基片，熱導(dǎo)率高，電性能好、熱膨脹系數(shù)與Si片接近,強(qiáng)度高，耐高溫，耐化學(xué)腐蝕，電阻率高，介電損耗小，無毒性，是取代BeO陶瓷的理想材料，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。
主要應(yīng)用于：高密度混合電路、微波功率器件、電力電子器件、光電子部件、半導(dǎo)體致冷等產(chǎn)品中做高性能基片材料和封裝材料，廣泛應(yīng)用于通訊器件、 高亮度LED、電力電子器件等行業(yè)。
AlN(氮化鋁)陶瓷基片主要性能指標(biāo) | |
性能內(nèi)容 | 性能指標(biāo) |
體積密度 (g/cm3) | 3.335 |
抗熱震性 | 無裂紋、炸裂 |
熱導(dǎo)率 (30℃, W/m.k) | ≥170 |
膨脹系數(shù) (/℃, 5℃/min, 20-300℃) | 2.805×10-6 |
抗折強(qiáng)度 (MPa) | 382.7 |
體積電阻率(Ω.cm) | 1.4×1014 |
介電常數(shù)(1MHz) | 8.56 |
化學(xué)穩(wěn)定性 (mg/cm2) | 0.97 |
擊穿強(qiáng)度 (KV/mm) | 18.45 |
表面粗糙度(μm) | 0.3~0.5 |
翹曲度(length‰) | ≤2‰ |
外觀/顏色 | 致密、細(xì)晶/ 暗灰色 |
純度:99%
顏色:灰白色
尺寸:100x100x1.0mm以內(nèi)或者根據(jù)客戶的要求切割
毛坯,單雙拋
表面粗糙度: < 10nm(拋光)